HY精密加工网 大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于高折射玻璃晶圆精密加工的问题，于是小编就整理了4个相关介绍高折射玻璃晶圆精密加工的解答，让我们一起看看吧。
浸没式光刻机优缺点？
浸没式光刻机是采用折射和反射相结合的光路设计且曝光区域与光刻机透镜之间充满水的光刻设备。
浸没式光刻机是采用折射和反射相结合的光路设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现1.35的数值孔径NA。浸没式光刻机工作时并不是把晶圆完全浸没在水中，而只是在曝光区域与光刻机透镜之间充满水。光刻机的曝光头（exposure head）必须特殊设计，以保证：（1）水随着光刻机在晶圆表面做步进-扫描运动，没有泄露；（2）水中没有气泡和颗粒。在193nm波长下，水的折射率是1.44，可以实现NA大于1。
光刻机费水吗？
光刻机的工作期间需要用到水，尤其是冷却系统比较费水。
浸没式光刻机是采用折射和反射相结合的光路设计且曝光区域与光刻机透镜之间充满水的光刻设备。浸没式光刻机工作时并不是把晶圆完全浸没在水中，而只是在曝光区域与光刻机透镜之间充满水。光刻机的曝光头（exposure head）必须特殊设计，以保证：（1）水随着光刻机在晶圆表面做步进-扫描运动，没有泄露；（2）水中没有气泡和颗粒。在193nm波长下，水的折射率是1.44，可以实现NA大于1。
并且光刻机这种大型设备需要用到水冷机组来给设备降温，所以需要消耗大量冷却水。
euv和duv有什么区别？
1、制程范围不同。
duv：基本上只能做到25nm，Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，却无法达到10nm以下。
euv：能满足10nm以下的晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
2、发光原理不同。
duv：光源为准分子激光，光源的波长能达到193纳米。
euv：激光激发等离子来发射EUV光子，光源的波长则为13.5纳米。
3、光路系统不同。
duv：主要利用光的折射原理。其中，浸没式光刻机会在投影透镜与晶圆之间，填入去离子水，使得193nm的光波等效至134nm。
euv：利用的光的反射原理，内部必须为真空操作。
格罗方德计划何时运用ASML的极紫外光刻工艺？
去年的时候，从 AMD 剥离出来的芯片制造工厂格罗方德（GlobalFoundries）曾发表了一份声明，表示 AMD 锐龙（Ryzen）和 Epyc 处理器、以及各式各样 Radeon GPU，都是由其独家代工的。
现在，随着 14nm LPP 工艺的成熟，格罗方德又将长远的目标放在了纽约北部的 Fab 8 制造工厂上。
根据该公司的路线图，7 纳米 Leading Performance 制程（7LP）会是格罗方德冲刺下一个极限的重心，最终有望在大规模半导体产品制造上使用极紫外光刻技术（EUV）。
【格罗方德 Fab 8 工厂大门】
当前市面上仅有 ASML 一家公司在摸索中提供设备，因此其这项技术的命运取决于 ASML 能否克服跨紫外线和 X 射线界限时所带来的干扰。
与当前 193-mm 沉浸式光刻工具所使用的氩-氟化物准分子激光不同，极紫外扫描必须借助一种全新的方法，才能在硅片上运用下一代工艺所需的电磁能量。
据悉，格罗方德将对工厂内部进行重新分配，通过激光脉冲，将融化的锡液滴转化为高能等离子，产生的光波长仅为 13.5 纳米。
传统工艺使用玻璃制成的折射透镜，但它对光性能的影响很大。EUV 扫描仪必须引导这种宝贵的能量来源，让它通过反射镜、顺利地抵达晶圆片上 —— 而这需要在硬真空环境下实现。
到此，以上就是小编对于高折射玻璃晶圆精密加工的问题就介绍到这了，希望介绍关于高折射玻璃晶圆精密加工的4点解答对大家有用。